English

4H-N 8 orlach tsubstráit SiC wafer Silicon Carbide Caochadán grád Taighde 500um tiús

Laiscín tsubstráit SiC 4H-N 8 orlach Caochadán Silicon Carbide Taighde grád tiús 500um Íomhá Réadmhaoin
  • 4H-N 8 orlach tsubstráit SiC wafer Silicon Carbide Caochadán grád Taighde 500um tiús
  • 4H-N 8 orlach tsubstráit SiC wafer Silicon Carbide Caochadán grád Taighde 500um tiús

Cur síos gairid:

Úsáidtear sliseog chomhdhúile sileacain i bhfeistí leictreonacha amhail dé-óid chumhachta, MOSFETanna, gléasanna micreathonnta ardchumhachta, agus trasraitheoirí RF, rud a chumasaíonn tiontú fuinnimh éifeachtach agus bainistíocht cumhachta. Baintear úsáid freisin as sliseoga agus foshraitheanna SiC i leictreonaic feithicleach, i gcórais aeraspáis, agus i dteicneolaíochtaí fuinnimh in-athnuaite.


Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Conas a Roghnaítear Ascaill Carbide Sileacain & Foshraitheanna SiC?

Nuair a roghnaítear sliseoga agus foshraitheanna chomhdhúile sileacain (SiC), tá roinnt fachtóirí le breithniú. Seo roinnt critéir thábhachtacha:

Cineál Ábhar: Socraigh an cineál ábhar SiC a oireann d'iarratas, mar shampla 4H-SiC nó 6H-SiC. Is é an struchtúr criostail is coitianta a úsáidtear ná 4H-SiC.

Cineál Dhópála: Déan cinneadh an bhfuil substráit SiC dópáilte nó neamhdhópáilte uait. Is iad na cineálacha dópála coitianta ná cineál N (n-dhópáilte) nó cineál P (p-dhópáilte), ag brath ar do shainriachtanais.

Cáilíocht Criostail: Déan measúnú ar cháilíocht chriostail na sliseog SiC nó na bhfoshraitheanna. Déantar an caighdeán atá ag teastáil a chinneadh ag paraiméadair mar líon na lochtanna, treoshuíomh criostalach, agus garbh an dromchla.

Trastomhas Wafer: Roghnaigh an méid sliseog cuí bunaithe ar d'iarratas. I measc na méideanna coitianta tá 2 orlach, 3 orlach, 4 orlach, agus 6 orlach. Dá mhéad an trastomhas, is mó an toradh is féidir leat a fháil in aghaidh na sliseog.

Tiús: Déan machnamh ar thiús inmhianaithe na sliseog nó na bhfoshraitheanna SiC. Raon roghanna tipiciúla tiús ó chúpla micriméadar go cúpla céad micriméadair.

Treoshuíomh: Aimsigh an treoshuíomh criostalagrafach a ailíníonn le riachtanais d'fheidhmchláir. Áirítear ar na treoshuímh choitianta (0001) do 4H-SiC agus (0001) nó (0001̅) do 6H-SiC.

Críochnú Dromchla: Déan measúnú ar chríochnú dromchla na sliseog SiC nó na bhfoshraitheanna. Ba chóir go mbeadh an dromchla réidh, snasta, agus saor ó scratches nó ábhar salaithe.

Clú an tSoláthraí: Roghnaigh soláthróir creidiúnach a bhfuil taithí fhairsing aige i dtáirgeadh sliseog agus foshraitheanna SiC ar ardchaighdeán. Smaoinigh ar fhachtóirí ar nós cumais déantúsaíochta, rialú cáilíochta, agus athbhreithnithe custaiméirí.

Costas: Smaoinigh ar na himpleachtaí costais, lena n-áirítear an praghas in aghaidh an sliseog nó an tsubstráit agus aon chostais shaincheaptha breise.

Tá sé tábhachtach na fachtóirí seo a mheas go cúramach agus dul i gcomhairle le saineolaithe nó soláthraithe tionscail chun a chinntiú go gcomhlíonann na sliseoga agus na foshraitheanna SiC roghnaithe do riachtanais iarratais ar leith.

Léaráid Mhionsonraithe

4H-N 8 orlach tsubstráit SiC wafer Silicon Carbide Caochadán grád Taighde 500um tiús (1)
4H-N 8 orlach tsubstráit SiC wafer Silicon Carbide Caochadán grád Taighde 500um tiús (2)
4H-N 8 orlach tsubstráit SiC wafer Silicon Carbide Caochadán grád Taighde 500um tiús (3)
4H-N 8 orlach tsubstráit SiC wafer Silicon Carbide Caochadán grád Taighde 500um tiús (4)
  • Roimhe Seo:
  • Ar Aghaidh:
    • Scríobh do theachtaireacht anseo agus seol chugainn é

    Catagóirí táirgí

    Buail isteach chun cuardach a dhéanamh nó ESC a dhúnadh