Foshraith Síolta SiC Cineál N Saincheaptha Dia153/155mm le haghaidh Leictreonaic Chumhachta

Cur Síos Achomair:

Is iad foshraitheanna síl charbaíd sileacain (SiC) an t-ábhar bunúsach do leathsheoltóirí den tríú glúin, agus is iad a bhfuil seoltacht theirmeach thar a bheith ard acu, neart réimse leictrigh miondealaithe den scoth, agus soghluaisteacht ard leictreon. Mar gheall ar na hairíonna seo, tá siad fíor-riachtanach le haghaidh leictreonaice cumhachta, gléasanna RF, feithiclí leictreacha (EVanna), agus feidhmeanna fuinnimh in-athnuaite. Speisialtóireacht XKH is ea T&F agus táirgeadh foshraitheanna síl SiC ardchaighdeáin, ag baint úsáide as teicnící fáis criostail chun cinn amhail Iompar Fisiceach Gaile (PVT) agus Taisceadh Ceimiceach Gaile Ardteochta (HTCVD) chun cáilíocht chriostalach den scoth sa tionscal a chinntiú.

Seol ríomhphost chugainn

Gnéithe

Tabhair isteach

Cuireann XKH foshraitheanna síl SiC 4-orlach, 6-orlach, agus 8-orlach ar fáil le dópáil saincheaptha de chineál N/cineál P, ag baint amach leibhéil fhriotaíochta de 0.01-0.1 Ω·cm agus dlúis díláithrithe faoi bhun 500 cm⁻², rud a fhágann go bhfuil siad oiriúnach chun MOSFETanna, Dé-óidí Bacainn Schottky (SBDanna), agus IGBTanna a mhonarú. Clúdaíonn ár bpróiseas táirgthe atá comhtháite go hingearach fás criostail, slisniú vaiféir, snasú, agus cigireacht, le cumas táirgthe míosúil a sháraíonn 5,000 vaiféir chun freastal ar éilimh éagsúla institiúidí taighde, monaróirí leathsheoltóirí, agus cuideachtaí fuinnimh in-athnuaite.

Ina theannta sin, soláthraímid réitigh saincheaptha, lena n-áirítear:

Saincheapadh treoshuíomh criostail (4H-SiC, 6H-SiC)

Dópáil speisialaithe (Alúmanam, Nítrigin, Bórón, srl.)

Snasú thar a bheith réidh (Ra < 0.5 nm)

Tacaíonn XKH le próiseáil bunaithe ar shamplaí, comhairliúcháin theicniúla, agus fréamhshamáirí baisceanna beaga chun réitigh foshraithe SiC optamaithe a sheachadadh.

Paraiméadair theicniúla

Slís síolta sileacain charbíde
Polaitíopa	4H
Earráid treoshuímh dromchla	4° i dtreo <11-20> ± 0.5º
Friotaíocht	saincheapadh
Trastomhas	205±0.5mm
Tiús	600±50μm
Garbhacht	CMP,Ra≤0.2nm
Dlús Micripíopa	≤1 an ceann/cm2
Scrathacha	≤5, Fad Iomlán≤2 * Trastomhas
Sceallóga/eangacha imeall	Dada
Marcáil léasair tosaigh	Dada
Scrathacha	≤2, Fad Iomlán≤Trastomhas
Sceallóga/eangacha imeall	Dada
Limistéir pholaitíopa	Dada
Marcáil léasair ar ais	1mm (ón imeall uachtarach)
Imeall	Chamfer
Pacáistiú	Caiséad il-vaiféir

Foshraitheanna Síolta SiC - Príomhthréithe

1. Airíonna Fisiceacha Eisceachtúla

· Seoltacht theirmeach ard (~490 W/m·K), ag sárú go suntasach sileacan (Si) agus arsanaíd ghailliam (GaAs), rud a fhágann go bhfuil sé oiriúnach le haghaidh fuaraithe gléasanna ard-dlúis chumhachta.

· Neart réimse miondealaithe (~3 MV/cm), rud a chuireann ar chumas oibriú cobhsaí faoi choinníollacha ardvoltais, atá ríthábhachtach d’inbhéirtéirí EV agus do mhodúil chumhachta tionsclaíocha.

· Bearna banda leathan (3.2 eV), rud a laghdaíonn sruthanna sceite ag teochtaí arda agus a fheabhsaíonn iontaofacht na ngléasanna.

2. Cáilíocht Chriostalach Sármhaith

· Laghdaíonn teicneolaíocht fáis hibrideach PVT + HTCVD lochtanna micreaphíopa, ag coinneáil dlúis díláithrithe faoi bhun 500 cm⁻².

· Bogha/dlúth an vaiféir < 10 μm agus garbhúlacht dromchla Ra < 0.5 nm, rud a chinntíonn comhoiriúnacht le próisis litagrafaíochta ardchruinnis agus taiscthe scannáin tanaí.

3. Roghanna Dópála Éagsúla

·Cineál-N (dópáilte le nítrigin): Friotaíocht íseal (0.01-0.02 Ω·cm), optamaithe le haghaidh gléasanna RF ardminicíochta.

· Cineál-P (dópáilte le alúmanam): Oiriúnach do MOSFETanna cumhachta agus IGBTanna, ag feabhsú soghluaisteachta iompróra.

· SiC leath-inslithe (dópáilte le vanaidiam): Friotaíocht > 10⁵ Ω·cm, saincheaptha do mhodúil tosaigh RF 5G.

4. Cobhsaíocht Chomhshaoil

· Friotaíocht ardteochta (>1600°C) agus cruas radaíochta, oiriúnach d'aeraspás, do threalamh núicléach, agus do thimpeallachtaí foircneacha eile.

Foshraitheanna Síolta SiC - Feidhmeanna Príomhúla

1. Leictreonaic Chumhachta

· Feithiclí Leictreacha (EVanna): Úsáidtear iad i luchtairí ar bord (OBC) agus in inbhéirteoirí chun éifeachtúlacht a fheabhsú agus éilimh ar bhainistíocht theirmeach a laghdú.

· Córais Chumhachta Tionsclaíocha: Feabhsaíonn sé inverters fótavoltacha agus eangacha cliste, ag baint amach éifeachtúlacht chomhshó cumhachta >99%.

2. Gléasanna RF

· Stáisiúin Bhunáit 5G: Cumasaíonn foshraitheanna SiC leath-inslithe aimplitheoirí cumhachta RF GaN-ar-SiC, ag tacú le tarchur comhartha ardchumhachta, ardmhinicíochta.

Cumarsáid Satailíte: A bhuíochas le tréithe ísealchaillteanais, tá sé oiriúnach do ghléasanna tonnta milliméadar.

3. Fuinneamh In-athnuaite & Stóráil Fuinnimh

· Cumhacht Gréine: Cuireann MOSFETanna SiC feabhas ar éifeachtúlacht chomhshó DC-AC agus laghdaíonn siad costais chórais ag an am céanna.

· Córais Stórála Fuinnimh (ESS): Déanann sé tiontairí déthreocha a bharrfheabhsú agus saolré na ceallraí a shíneadh.

4. Cosaint & Aeraspás

· Córais Radair: Úsáidtear gléasanna SiC ardchumhachta i radair AESA (Eagar Scanta Leictreonach Gníomhach).

· Bainistíocht Cumhachta Spásárthaí: Tá foshraitheanna SiC atá frithsheasmhach in aghaidh radaíochta ríthábhachtach do mhisin spáis dhomhain.

5. Taighde & Teicneolaíochtaí atá ag Teacht Chun Cinn

· Ríomhaireacht Chandamach: Cumasaíonn SiC ard-íonachta taighde ar chiúbit sníomha.

· Braiteoirí Ardteochta: Úsáidtear iad i dtaiscéalaíocht ola agus i monatóireacht imoibritheoirí núicléacha.

Foshraitheanna Síolta SiC - Seirbhísí XKH

1. Buntáistí Slabhra Soláthair

· Déantúsaíocht chomhtháite go hingearach: Rialú iomlán ó phúdar SiC ard-íonachta go dtí na vaiféir chríochnaithe, rud a chinntíonn amanna luaidhe 4-6 seachtaine do tháirgí caighdeánacha.

· Iomaíochas costais: Cuireann geilleagair scála ar chumas praghsáil 15-20% níos ísle ná iomaitheoirí, le tacaíocht do Chomhaontuithe Fadtéarmacha (LTAanna).

2. Seirbhísí Saincheaptha

· Treoshuíomh criostail: 4H-SiC (caighdeánach) nó 6H-SiC (feidhmchláir speisialaithe).

· Uasmhéadú dópála: Airíonna saincheaptha de chineál N/cineál P/leathinslithe.

· Snasú ardteicneolaíochta: snasú CMP agus cóireáil dromchla epi-réidh (Ra < 0.3 nm).

3. Tacaíocht Theicniúil

· Tástáil shamplach saor in aisce: Áirítear tuarascálacha tomhais XRD, AFM, agus éifeacht Halla.

· Cúnamh insamhalta gléasanna: Tacaíonn sé le fás eipitacsach agus le hoptamú dearadh gléasanna.

4. Freagairt Thapa

· Fréamhshamáirí ísealtoirte: Ordú íosta de 10 vaiféar, seachadta laistigh de 3 seachtaine.

· Loighistic dhomhanda: Comhpháirtíochtaí le DHL agus FedEx le haghaidh seachadta ó dhoras go doras.

5. Dearbhú Cáilíochta

· Cigireacht iomlán phróisis: Clúdaíonn sé topagrafaíocht X-gha (XRT) agus anailís dlúis lochtanna.

· Deimhniúcháin idirnáisiúnta: Comhlíontach le caighdeáin IATF 16949 (grád feithicleach) agus AEC-Q101.

Conclúid

Tá foshraitheanna síl SiC XKH den scoth i gcáilíocht chriostalach, cobhsaíocht slabhra soláthair, agus solúbthacht saincheaptha, ag freastal ar leictreonaic chumhachta, cumarsáid 5G, fuinneamh in-athnuaite, agus teicneolaíochtaí cosanta. Leanfaimid orainn ag cur teicneolaíocht olltáirgeachta SiC 8-orlach chun cinn chun tionscal leathsheoltóra an tríú glúin a thiomáint ar aghaidh.

Roimhe Seo: Pláta/tráidire ceirmeach SiC le haghaidh sealbhóir vaiféil 4 orlach 6 orlach le haghaidh ICP

Ar Aghaidh: Foshraitheanna Criostail Síl SiC Saincheaptha Dia 205/203/208 Cineál 4H-N le haghaidh Cumarsáide Optúla