Tá glanadh fliuch (Wet Clean) ar cheann de na céimeanna ríthábhachtacha i bpróisis déantúsaíochta leathsheoltóra, atá dírithe ar ábhair shalaithe éagsúla a bhaint as dromchla an wafer chun a chinntiú gur féidir céimeanna próisis ina dhiaidh sin a dhéanamh ar dhromchla glan.
De réir mar a leanann méid na bhfeistí leathsheoltóra ag crapadh agus na ceanglais bheachtais ag méadú, tá éilimh theicniúla na bpróiseas glantacháin wafer ag éirí níos déine. Is féidir fiú na cáithníní is lú, ábhair orgánacha, iain miotail, nó iarmhair ocsaíde ar an dromchla wafer tionchar suntasach a imirt ar fheidhmíocht gléas, rud a chuireann isteach ar an táirgeacht agus iontaofacht na feistí leathsheoltóra.
Bunphrionsabail Ghlantacháin Wafer
Is é an croí a bhaineann le glanadh wafer ná ábhar salaithe éagsúla a bhaint go héifeachtach ón dromchla wafer trí mhodhanna fisiceacha, ceimiceacha agus eile chun a chinntiú go bhfuil dromchla glan ag an wafer atá oiriúnach le haghaidh próiseála ina dhiaidh sin.
Cineál Éillithe
Príomhthionchar ar Thréithe an Ghléis
| ricle Éilliú | Lochtanna patrún
Lochtanna ionchlannú ian
Lochtanna briste scannán inslithe
| |
| Éilliú Miotalacha | Miotail Alcaile | Éagobhsaíocht trasraitheora MOS
Miondealú/díghrádú scannáin ocsaíd geata
|
| Miotail Trom | Sruth méadaithe sceite droim ar ais acomhal PN
Lochtanna miondealú scannáin ocsaíd geata
Díghrádú saoil iompróra mionlaigh
Giniúint locht ciseal excitation ocsaíd
| |
| Éilliú Ceimiceach | Ábhar Orgánach | Lochtanna miondealú scannáin ocsaíd geata
Athruithe ar scannáin CVD (amanna goir)
Athruithe tiús scannáin ocsaíd theirmeach (ocsaídiú luathaithe)
Tarlú guaise (wafer, lionsa, scáthán, masc, reticle)
|
| Dópánaigh Neamhorgánacha (B, P) | MOS trasraitheoir Vth shifts
Tsubstráit Si agus éagsúlachtaí friotaíochta bileog polai-sileacain ardfhriotaíochta
| |
| Bunanna Neamhorgánacha (aimíní, amóinia) & Aigéid (SOx) | Díghrádú ar thaifeach friotáin a aimplíodh go ceimiceach
Tarlú éillithe cáithníní agus Clear mar gheall ar ghiniúint salainn
| |
| Scannáin Dhúchasach agus Ocsaíd Cheimiceach Mar gheall ar Thaise, Aer | Friotaíocht teagmhála méadaithe
Miondealú/díghrádú scannáin ocsaíd geata
| |
Go sonrach, áirítear le cuspóirí an phróisis glantacháin sliseog:
Baint Cháithníní: Úsáid modhanna fisiceacha nó ceimiceacha chun cáithníní beaga atá ceangailte leis an dromchla sliseog a bhaint. Tá sé níos deacra cáithníní níos lú a bhaint mar gheall ar na fórsaí leictreastatacha láidre idir iad agus an dromchla wafer, a éilíonn cóireáil speisialta.
Baint Ábhar Orgánach: Is féidir le hábhair shalaithe orgánacha mar ramhar agus iarmhair photoresist cloí leis an dromchla wafer. Baintear na hábhair salaithe seo de ghnáth trí úsáid a bhaint as oibreáin ocsaídeacha láidre nó tuaslagóirí.
Baint ian Miotail: Is féidir le hiarmhair ian miotail ar an dromchla wafer feidhmíocht leictreach a dhíghrádú agus fiú tionchar a imirt ar na céimeanna próiseála ina dhiaidh sin. Dá bhrí sin, úsáidtear réitigh cheimiceacha ar leith chun na hiain seo a bhaint.
Baint Ocsaíd: Éilíonn roinnt próiseas go mbeidh an dromchla wafer saor ó shraitheanna ocsaíd, mar shampla ocsaíd sileacain. I gcásanna den sórt sin, is gá sraitheanna ocsaíd nádúrtha a bhaint le linn céimeanna glanta áirithe.
Is é an dúshlán a bhaineann le teicneolaíocht glantacháin sliseog ná ábhar salaithe a bhaint go héifeachtach gan dochar a dhéanamh don dromchla sliseog, amhail garbhú dromchla, creimeadh nó damáiste fisiciúil eile a chosc.
2. Sreabhadh Próiseas Glanadh Wafer
Is gnách go mbíonn céimeanna iomadúla i gceist leis an bpróiseas glantacháin sliseog chun a chinntiú go mbaintear ábhar salaithe go hiomlán agus go mbainfear amach dromchla iomlán glan.
Fíor: Comparáid idir Baisc-Chineál agus Glanadh Aon-Wafer
Áirítear na príomhchéimeanna seo a leanas i bpróiseas glantacháin tipiciúil le haghaidh sliseog:
1. Réamh-ghlanadh (Réamh-Glan)
Is é an cuspóir atá le réamh-ghlanadh ná éillithe scaoilte agus cáithníní móra a bhaint as an dromchla wafer, a bhaintear amach de ghnáth trí sruthlú uisce dí-ianaithe (DI Water) agus glanadh ultrasonaic. Is féidir le huisce dí-ianaithe cáithníní agus neamhíonachtaí tuaslagtha a bhaint as an dromchla wafer ar dtús, agus úsáideann glanadh ultrasonaic éifeachtaí cavitation chun an nasc idir na cáithníní agus an dromchla wafer a bhriseadh, rud a fhágann go bhfuil siad níos éasca le scaoileadh.
2. Glanadh Ceimiceach
Tá glanadh ceimiceach ar cheann de na céimeanna lárnacha sa phróiseas glantacháin wafer, ag baint úsáide as réitigh cheimiceacha chun ábhair orgánacha, iain miotail, agus ocsaídí a bhaint as an dromchla wafer.
Baint Ábhar Orgánach: Go hiondúil, úsáidtear aicéatón nó meascán amóinia/ sárocsaíd (SC-1) chun ábhar salaithe orgánacha a thuaslagadh agus a ocsaídiú. Is é an cóimheas tipiciúil do thuaslagán SC-1 ná NH₄OH
₂Ó₂
₂O = 1:1:5, le teocht oibre timpeall 20°C.
Baint ian Miotail: Úsáidtear meascáin aigéad nítreach nó aigéad hidreaclórach / sárocsaíd (SC-2) chun iain miotail a bhaint as an dromchla sliseog. Is é an cóimheas tipiciúil le haghaidh réiteach SC-2 ná HCl
₂Ó₂
₂O = 1:1:6, agus an teocht coinnithe ag thart ar 80°C.
Baint Ocsaíd: I roinnt próiseas, is gá an ciseal ocsaíd dhúchasach a bhaint as an dromchla wafer, as a n-úsáidtear tuaslagán aigéad hidreafluarach (HF). Is é an cóimheas tipiciúil le haghaidh réiteach HF ná HF
₂O = 1:50, agus is féidir é a úsáid ag teocht an tseomra.
3. Glan Deiridh
Tar éis glantacháin cheimiceacha, is gnách go mbíonn céim ghlantacháin deiridh ag sliseoga chun a chinntiú nach bhfanann aon iarmhar ceimiceach ar an dromchla. Úsáideann glanadh deiridh go príomha uisce dí-ianaithe le haghaidh sruthlú críochnúil. Ina theannta sin, baintear úsáid as glanadh uisce ózóin (O₃/H₂O) chun aon ábhar salaithe atá fágtha a bhaint den dromchla sliseog.
4. Triomú
Ní mór na sliseoga glanta a thriomú go tapa chun comhartha uisce nó athcheangail ábhar salaithe a chosc. I measc na modhanna triomú coitianta tá triomú casadh agus glanadh nítrigine. Baineann an chéad cheann an taise as an dromchla wafer trí sníomh ar luas ard, agus cinntíonn an dara ceann triomú iomlán trí ghás nítrigine tirim a shéideadh trasna an dromchla sliseog.
Truailleán
Nós Imeachta Glanadh Ainm
Cur Síos ar Mheascán Ceimiceach
Ceimiceáin
| Cáithníní | Piranha (SPM) | Aigéad sulfarach/sárocsaíd hidrigine/uisce DI | H2SO4/H2O2/H2O 3-4:1; 90°C |
| SC-1 (APM) | Hiodrocsaíd amóiniam / sárocsaíd hidrigine / uisce DI | NH4OH/H2O2/H2O 1:4:20; 80°C | |
| Miotail (ní copar) | SC-2 (HPM) | Aigéad hidreaclórach/sárocsaíd hidrigine/uisce DI | HCl/H2O2/H2O1:1:6; 85°C |
| Piranha (SPM) | Aigéad sulfarach/sárocsaíd hidrigine/uisce DI | H2SO4/H2O2/H2O3-4:1; 90°C | |
| DHF | Aigéad hidreafluarach caol / uisce DI (ní bhainfidh sé copar) | HF/H2O1:50 | |
| Orgánach | Piranha (SPM) | Aigéad sulfarach/sárocsaíd hidrigine/uisce DI | H2SO4/H2O2/H2O 3-4:1; 90°C |
| SC-1 (APM) | Hiodrocsaíd amóiniam / sárocsaíd hidrigine / uisce DI | NH4OH/H2O2/H2O 1:4:20; 80°C | |
| DIO3 | Ózón in uisce dí-ianaithe | O3/H2O Meascáin Optamaithe | |
| Ocsaíd Dúchais | DHF | Aigéad hidreafluarach caol / uisce DI | HF/H2O 1:100 |
| BHF | Aigéad hidreafluarach maolánach | NH4F/HF/H2O |
3. Modhanna Coitianta Glanadh Wafer
1. Modh Glanadh RCA
Tá modh glantacháin RCA ar cheann de na teicnící glantacháin wafer is clasaiceach sa tionscal leathsheoltóra, a d'fhorbair RCA Corporation breis agus 40 bliain ó shin. Úsáidtear an modh seo go príomha chun ábhar salaithe orgánacha agus neamhíonachtaí ian miotail a bhaint agus is féidir é a chomhlánú i dhá chéim: SC-1 (Caighdeánach Glan 1) agus SC-2 (Caighdeánach Glan 2).
Glanadh SC-1: Úsáidtear an chéim seo go príomha chun ábhair shalaithe agus cáithníní orgánacha a bhaint. Is meascán de amóinia, sárocsaíd hidrigine, agus uisce é an réiteach, a fhoirmíonn ciseal tanaí ocsaíd sileacain ar an dromchla wafer.
Glanadh SC-2: Úsáidtear an chéim seo go príomha chun ábhair shalaithe ian miotail a bhaint, ag baint úsáide as meascán d'aigéad hidreaclórach, sárocsaíd hidrigine, agus uisce. Fágann sé ciseal pasivation tanaí ar an dromchla wafer chun athéilliú a chosc.
2. Modh Glanadh Piranha (Piranha Etch Clean)
Is teicníc an-éifeachtach é modh glantacháin Piranha chun ábhair orgánacha a bhaint, ag baint úsáide as meascán d'aigéad sulfarach agus sárocsaíd hidrigine, go hiondúil i gcóimheas 3:1 nó 4:1. Mar gheall ar airíonna ocsaídiúcháin an-láidir an tuaslagáin seo, féadann sé líon mór ábhar orgánach agus ábhar salaithe stubborn a bhaint. Éilíonn an modh seo rialú docht ar choinníollacha, go háirithe i dtéarmaí teochta agus tiúchana, chun damáiste a sheachaint don wafer.
Úsáideann glanadh ultrasonaic an éifeacht cavitation a ghineann tonnta fuaime ard-minicíochta i leacht chun ábhar salaithe a bhaint as an dromchla wafer. I gcomparáid le glanadh ultrasonaic traidisiúnta, feidhmíonn glanadh megasonach ag minicíocht níos airde, rud a chuireann ar chumas cáithníní fo-mhiocrón-mhéid a bhaint níos éifeachtaí gan damáiste a dhéanamh don dromchla wafer.
4. Glanadh Ózóin
Úsáideann teicneolaíocht glantacháin ózóin na hairíonna láidir ocsaídeacha atá ag ózóin chun ábhair shalaithe orgánacha a dhianscaoileadh agus a bhaint as an dromchla wafer, agus ar deireadh thiar iad a thiontú ina dhé-ocsaíd charbóin agus uisce neamhdhíobhálach. Ní éilíonn an modh seo úsáid a bhaint as imoibrithe ceimiceacha daor agus is cúis le truailliú comhshaoil níos lú, rud a fhágann gur teicneolaíocht atá ag teacht chun cinn i réimse an ghlanadh wafer é.
4. Trealamh Próiseas Glanadh Wafer
Chun éifeachtacht agus sábháilteacht na bpróiseas glantacháin wafer a áirithiú, úsáidtear éagsúlacht ard-trealamh glantacháin i ndéantúsaíocht leathsheoltóra. Áirítear ar na príomhchineálacha:
1. Trealamh Glanadh Fliuch
Áirítear le trealamh glantacháin fliuch umair tumoideachais éagsúla, umair ghlanadh ultrasonaic, agus triomadóirí casadh. Comhcheanglaíonn na gléasanna seo fórsaí meicniúla agus imoibrithe ceimiceacha chun ábhair shalaithe a bhaint as an dromchla wafer. De ghnáth bíonn córais rialaithe teochta feistithe ag umair tumtha chun cobhsaíocht agus éifeachtacht tuaslagáin cheimiceacha a chinntiú.
2. Trealamh Glantacháin Tirim
Áirítear go príomha le trealamh glantacháin tirim glantóirí plasma, a úsáideann cáithníní ardfhuinnimh i bplasma chun freagairt le hiarmhair an dromchla wafer agus iad a bhaint as. Tá glanadh plasma oiriúnach go háirithe do phróisis a éilíonn sláine an dromchla a chothabháil gan iarmhar ceimiceach a thabhairt isteach.
3. Córais Glantacháin Uathoibrithe
Le leathnú leanúnach ar tháirgeadh leathsheoltóra, tá córais ghlantacháin uathoibrithe anois mar an rogha is fearr le haghaidh glanadh sliseog ar scála mór. Is minic a chuimsíonn na córais seo meicníochtaí aistrithe uathoibrithe, córais glantacháin il-umar, agus córais rialaithe beachta chun torthaí glanta comhsheasmhacha a chinntiú do gach sliseog.
5. Treochtaí sa Todhchaí
De réir mar a leanann gléasanna leathsheoltóra ag crapadh, tá teicneolaíocht glantacháin sliseog ag teacht chun cinn i dtreo réitigh níos éifeachtaí agus atá neamhdhíobhálach don chomhshaol. Díreoidh teicneolaíochtaí glantacháin amach anseo ar:
Baint Cháithníní Fo-nanaiméadar: Is féidir le teicneolaíochtaí glantacháin atá ann faoi láthair cáithníní scála nanaiméadar a láimhseáil, ach leis an laghdú breise ar mhéid an fheiste, beidh dúshlán nua ann cáithníní fo-nanaiméadar a bhaint.
Glanadh Glas agus Éicea-chairdiúil: Beidh níos mó tábhachta ag baint le húsáid ceimiceáin atá díobhálach don chomhshaol a laghdú agus modhanna glantacháin níos cairdiúla don chomhshaol a fhorbairt, mar shampla glanadh ózóin agus glanadh megasonic.
Leibhéil Ardleibhéil Uathoibrithe agus Faisnéise: Cumasóidh córais Chliste monatóireacht agus coigeartú fíor-ama ar pharaiméadair éagsúla le linn an phróisis glantacháin, ag feabhsú éifeachtacht glantacháin agus éifeachtacht táirgthe a thuilleadh.
Tá ról ríthábhachtach ag teicneolaíocht glantacháin wafer, mar chéim ríthábhachtach i ndéantúsaíocht leathsheoltóra, maidir le dromchlaí sliseog glan a chinntiú do phróisis ina dhiaidh sin. Déanann an meascán de mhodhanna glantacháin éagsúla éillithe a bhaint go héifeachtach, ag soláthar dromchla glan tsubstráit do na chéad chéimeanna eile. De réir mar a théann an teicneolaíocht chun cinn, leanfar le próisis ghlantacháin a bharrfheabhsú chun freastal ar na héilimh ar chruinneas níos airde agus ar rátaí lochtanna níos ísle i ndéantúsaíocht leathsheoltóra.
Am postála: Oct-08-2024