Foirnéis fáis criostail SiC Fás ingot SiC 4 orlach 6 orlach 8 n-orlach Modh fáis LPE Lely TSSG PTV

Foirnéis fáis criostail SiC Fás ingot SiC 4 orlach 6 orlach 8 orlach Modh fáis PTV Lely TSSG LPE Íomhá Réadmhaoin

Cur Síos Achomair:

Is céim ríthábhachtach in ullmhú ábhar leathsheoltóra ardfheidhmíochta é fás criostail charbaíd sileacain (SiC). Mar gheall ar an bpointe leá ard atá ag SiC (thart ar 2700°C) agus an struchtúr ilchineálach casta (m.sh. 4H-SiC, 6H-SiC), tá deacracht mhór ag baint leis an teicneolaíocht fáis criostail. Faoi láthair, áirítear ar na príomh-mhodhanna fáis an modh aistrithe gaile fisiciúil (PTV), modh Lely, modh fáis tuaslagáin síl barr (TSSG) agus modh eipitacsach céime leachta (LPE). Tá a buntáistí agus a mhíbhuntáistí féin ag gach modh agus tá sé oiriúnach do riachtanais iarratais éagsúla.

Seol ríomhphost chugainn

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Príomhmhodhanna fáis criostail agus a saintréithe

(1) Modh Aistrithe Gaile Fisiciúil (PTV)
Prionsabal: Ag teochtaí arda, déanann an t-amhábhar SiC céim gháis a fholúsú, a athchriostalaítear ina dhiaidh sin ar an gcriostal síl.
Príomhghnéithe:
Teocht ard fáis (2000-2500°C).
Is féidir criostail 4H-SiC agus 6H-SiC ardchaighdeáin agus móra a fhás.
Tá an ráta fáis mall, ach tá cáilíocht an chriostail ard.
Feidhmchlár: Úsáidtear go príomha i leathsheoltóirí cumhachta, gléasanna RF agus réimsí ardleibhéil eile.

(2) Modh Lely
Prionsabal: Fásann criostail trí fho-mhéadú spontáineach agus athchriostalú púdair SiC ag teochtaí arda.
Príomhghnéithe:
Ní gá síolta don phróiseas fáis, agus tá méid an chriostail beag.
Tá cáilíocht an chriostail ard, ach tá an éifeachtúlacht fáis íseal.
Oiriúnach do thaighde saotharlainne agus do tháirgeadh baisce beag.
Feidhmchlár: Úsáidtear go príomha i dtaighde eolaíoch agus in ullmhú criostail SiC beaga.

(3) Modh Fás Tuaslagáin Barrsíolta (TSSG)
Prionsabal: I dtuaslagán ardteochta, tuaslagann agus criostalaíonn an t-amhábhar SiC ar an gcriostal síl.
Príomhghnéithe:
Tá an teocht fáis íseal (1500-1800°C).
Is féidir criostail SiC ardchaighdeáin agus íseal-locht a fhás.
Tá an ráta fáis mall, ach tá an aonfhoirmeacht criostail maith.
Feidhmchlár: Oiriúnach chun criostail SiC ardchaighdeáin a ullmhú, amhail gléasanna optoelectronic.

(4) Eipitacsas Céim Leachtach (LPE)
Prionsabal: I dtuaslagán miotail leachtach, fásann amhábhar SiC eipitacsach ar an tsubstráit.
Príomhghnéithe:
Tá an teocht fáis íseal (1000-1500°C).
Ráta fáis tapa, oiriúnach le haghaidh fás scannáin.
Tá cáilíocht an chriostail ard, ach tá an tiús teoranta.
Feidhmchlár: Úsáidtear go príomha le haghaidh fás eipitacsach scannán SiC, amhail braiteoirí agus gléasanna optoelectronic.

Na príomhbhealaí iarratais ar fhoirnéis criostail charbíde sileacain

Is é foirnéis criostail SiC an trealamh lárnach chun criostail sic a ullmhú, agus áirítear ar a phríomhbhealaí cur i bhfeidhm:
Déantúsaíocht gléasanna leathsheoltóra cumhachta: Úsáidtear é chun criostail 4H-SiC agus 6H-SiC ardchaighdeáin a fhás mar ábhair foshraithe do ghléasanna cumhachta (amhail MOSFETanna, dé-óidí).
Feidhmeanna: feithiclí leictreacha, inverters fótavoltach, soláthairtí cumhachta tionsclaíocha, etc.

Déantúsaíocht gléasanna RF: Úsáidtear iad chun criostail SiC íseal-locht a fhás mar foshraitheanna do ghléasanna RF chun freastal ar riachtanais ardmhinicíochta cumarsáide 5G, radair agus cumarsáide satailíte.

Déantúsaíocht gléasanna optúlaictreonacha: Úsáidtear é chun criostail SiC ardchaighdeáin a fhás mar ábhair foshraithe do soilse faoi stiúir, brathadóirí ultraivialait agus léasair.

Taighde eolaíoch agus táirgeadh baisce beag: le haghaidh taighde saotharlainne agus forbairt ábhar nua chun tacú le nuálaíocht agus le hoptamú teicneolaíochta fáis criostail SiC.

Déantúsaíocht gléasanna ardteochta: Úsáidtear é chun criostail SiC atá frithsheasmhach in aghaidh ardteochta a fhás mar ábhar bonn do braiteoirí aeraspáis agus ardteochta.

Trealamh agus seirbhísí foirnéise SiC arna soláthar ag an gcuideachta

Díríonn XKH ar fhorbairt agus ar mhonarú trealaimh foirnéise criostail SIC, ag soláthar na seirbhísí seo a leanas:

Trealamh saincheaptha: Soláthraíonn XKH foirnéisí fáis saincheaptha le modhanna fáis éagsúla amhail PTV agus TSSG de réir riachtanais an chustaiméara.

Tacaíocht theicniúil: Soláthraíonn XKH tacaíocht theicniúil do chustaiméirí don phróiseas iomlán ó uasmhéadú phróiseas fáis criostail go cothabháil trealaimh.

Seirbhísí Oiliúna: Soláthraíonn XKH oiliúint oibríochtúil agus treoir theicniúil do chustaiméirí chun oibriú éifeachtach trealaimh a chinntiú.

Seirbhís iar-díolacháin: Soláthraíonn XKH seirbhís iar-díolacháin freagartha thapa agus uasghráduithe trealaimh chun leanúnachas táirgeachta custaiméirí a chinntiú.

Tá feidhmeanna tábhachtacha ag teicneolaíocht fáis criostail sileacain charbíde (amhail PTV, Lely, TSSG, LPE) i réimse na leictreonaice cumhachta, gléasanna RF agus optoelectronics. Soláthraíonn XKH trealamh foirnéise SiC chun cinn agus raon iomlán seirbhísí chun tacú le custaiméirí i dtáirgeadh criostail SiC ardchaighdeáin ar scála mór agus chun cabhrú le forbairt an tionscail leathsheoltóra.