SiC
-
Foshraith SiC Dia200mm 4H-N agus HPSI Silicon carbide
-
Foshraith 3inch SiC Táirgeadh Dia76.2mm 4H-N
-
Foshraith SiC P agus D grád Dia50mm 4H-N 2inch
-
4H-N/6H-N Táirgeadh Taighde Wafer SiC Caochadán grád Dia150mm Foshraith chomhdhúile sileacain
-
Tinne SiC 2 orlach Dia50.8mmx10mmt Monacriostail 4H-N
-
Caochadán tsubstráit SiC 200mm de ghrád 4H-N 8inch SiC wafer
-
Síol SiC 4H-N Dia205mm ón tSín P agus D grád Monocrystaline
-
Glacadh le cineál N/P wafer SiC Epitaxiy saincheaptha
-
Dia150mm 4H-N 6inch SiC substráit Táirgeadh agus Caochadán grád
-
wafer SiC Epi 4 orlach le haghaidh MOS nó SBD
-
Aiscirsí SiC 4 orlach Foshraitheanna SiC Leath-Inslithe 6H Príomhghrád, Grád Taighde agus Caochadán
-
6 orlach HPSI SiC substrate wafer Silicon Carbide Leath- maslach SIC sliseog