GaN 100mm 4 orlach ar wafer epi-ciseal Sapphire Gallium nitride epitaxial wafer
An próiseas fáis de struchtúr tobair chandamach gorm LED GaN.Seo a leanas sreabhadh próiseas mionsonraithe
(1) Bácáil teocht ard, téitear substráit sapphire ar dtús go 1050 ℃ in atmaisféar hidrigine, is é an cuspóir dromchla an tsubstráit a ghlanadh;
(2) Nuair a thiteann teocht an tsubstráit go 510 ℃, cuirtear ciseal maolánach GaN/AlN ar theocht íseal le tiús 30nm ar dhromchla an tsubstráit sapphire;
(3) Ardú teochta go 10 ℃, déantar an gás imoibrithe amóinia, trimethylgallium agus silane a instealladh, rialaíonn an ráta sreafa comhfhreagrach faoi seach, agus fástar an N-cineál N-dhópáilte sileacain de thiús 4um;
(4) Baineadh úsáid as gás imoibrithe alúmanaim trimethyl agus gailliam trimethyl chun ilchríocha N-cineál A⒑ dé-dhópáilte sileacain a ullmhú le tiús 0.15um;
(5) Ullmhaíodh InGan Doped Zn 50nm trí instealladh trimethylgallium, trimethylindium, dihylzinc agus amóinia ag teocht 8O0 ℃ agus rialú rátaí sreafa éagsúla faoi seach;
(6) Méadaíodh an teocht go 1020 ℃, instealladh maignéisiam trimethylaluminum, trimethylgallium agus bis (cyclopentadienyl) a ullmhú 0.15um Mg dópáilte P-cineál AlGaN agus 0.5um Mg dópáilte P-cineál G glúcóis fola;
(7) Fuarthas scannán ardchaighdeáin P-cineál GaN Sibuyan trí annealing in atmaisféar nítrigine ag 700 ℃;
(8) Eitseáil ar dhromchla P-cineál G stasis chun an dromchla stasis N-cineál G a nochtadh;
(9) Galú plátaí teagmhála Ni/Au ar dhromchla p-GaNI, galú plátaí teagmhála △/Al ar dhromchla ll-GaN chun leictreoidí a fhoirmiú.
Sonraíochtaí
| Mír | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| Toisí | e 100 mm ± 0.1 mm | |
| Tiús | 4.5 ± 0.5 um Is féidir a shaincheapadh | |
| Treoshuíomh | C-eitleán(0001) ±0.5° | |
| Cineál Seolta | Cineál N (Neamhdhópáilte) | Cineál N (Si-dhópáilte) |
| Friotaíocht(300K) | < 0.5 Q・ cm | < 0.05 Q・ cm |
| Tiúchan Iompróra | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 |
| Soghluaisteacht | ~ 300 cm2/vs | ~ 200 cm2/vs |
| Dlús Dislocation | Níos lú ná 5x108cm-2(arna ríomh ag FWHMs de XRD) | |
| Struchtúr an tsubstráit | GaN ar Sapphire(Caighdeánach: Rogha SSP: DSP) | |
| Achar Dromchla Inúsáidte | > 90% | |
| Pacáiste | Pacáilte i dtimpeallacht seomra glan rang 100, i gcaiséid de 25pcs nó i gcoimeádáin wafer aonair, faoi atmaisféar nítrigine. | |
Léaráid Mhionsonraithe
