3 orlach 76.2mm 4H-Leath-SiC sliseog tsubstráit Sicíní Carbide Leath- maslach SiC

3 orlach 76.2mm 4H-Leath-SiC sliseog tsubstráit Silicon Carbide sliseog leath-mhaslach SiC Íomhá Réadmhaoin

Cur síos gairid:

wafer SIC criostail aonair ardchaighdeáin (Carbide Sileacain) don tionscal leictreonach agus optoelectronic. Is ábhar leathsheoltóra den chéad ghlúin eile é wafer 3inch SiC, sliseog leath-inslithe sileacain-carbide de thrastomhas 3 orlach. Tá na sliseoga ceaptha chun feistí cumhachta, RF agus optoelectronics a mhonarú.

Seol ríomhphost chugainn

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Sonraíocht Táirge

Is ábhar leathsheoltóra a úsáidtear go coitianta iad sliseog tsubstráit SiC leath-inslithe 3-orlach 4H (cairbíd sileacain). Léiríonn 4H struchtúr criostail tetrahexahedral. Ciallaíonn leath-insliú go bhfuil tréithe ardfhriotaíochta ag an tsubstráit agus gur féidir é a bheith scoite amach ó shreabhadh reatha.

Tá na tréithe seo a leanas ag sliseoga tsubstráit den sórt sin: seoltacht ard teirmeach, caillteanas seoltachta íseal, friotaíocht ardteochta den scoth, agus cobhsaíocht mheicniúil agus cheimiceach den scoth. Toisc go bhfuil bearna fuinnimh leathan ag chomhdhúile sileacain agus gur féidir leis teocht ard agus coinníollacha réimse leictrigh arda a sheasamh, úsáidtear sliseog leath-inslithe 4H-SiC go forleathan i leictreonaic cumhachta agus feistí minicíochta raidió (RF).

Áirítear ar phríomhfheidhmchláir leath-inslithe 4H-SiC:

1--Leictreonaic cumhachta: Is féidir sliseog 4H-SiC a úsáid chun gléasanna lasctha cumhachta a mhonarú, mar shampla MOSFETanna (Trasraitheoirí Éifeacht Réimse Leathsheoltóra Ocsaíd Mhiotail), IGBTanna (Trasraitheoirí Bipolar Geata Inslithe) agus dé-óid Schottky. Tá caillteanais seolta agus aistrithe níos ísle ag na feistí seo i dtimpeallachtaí ardvoltais agus teocht ard agus cuireann siad éifeachtacht agus iontaofacht níos airde ar fáil.

2 - Gléasanna Minicíocht Raidió (RF): Is féidir sliseog leath-inslithe 4H-SiC a úsáid chun aimplitheoirí cumhachta RF ard-minicíochta, friotóirí sliseanna, scagairí agus gléasanna eile a dhéanamh. Tá feidhmíocht ard-minicíochta níos fearr agus cobhsaíocht theirmeach níos fearr ag carbide sileacain mar gheall ar a ráta srutha saturation leictreon níos mó agus seoltacht teirmeach níos airde.

3 - Feistí optoelectronic: Is féidir sliseog leath-inslithe 4H-SiC a úsáid chun dé-óid léasair ardchumhachta, brathadóirí solais UV agus ciorcaid chomhtháite optoelectronic a mhonarú.

I dtéarmaí treo an mhargaidh, tá an t-éileamh ar sliseoga leath-inslithe 4H-SiC ag méadú le réimsí méadaitheacha leictreonaic cumhachta, RF agus optoelectronics. Tá sé seo mar gheall ar an bhfíric go bhfuil raon leathan iarratas ag chomhdhúile sileacain, lena n-áirítear éifeachtacht fuinnimh, feithiclí leictreacha, fuinneamh in-athnuaite agus cumarsáid. Sa todhchaí, tá an margadh le haghaidh sliseog leath-inslithe 4H-SiC fós an-geallta agus táthar ag súil go n-athsholáthrófar ábhair shileacain traidisiúnta in iarratais éagsúla.