Aiscíní SiC 4 orlach Foshraitheanna SiC Leath-Inslithe 6H Príomhghrád, grád taighde agus Caochadán

Aiscirsí SiC 4 orlach 6H Foshraitheanna SiC Leath-Inslithe Príomhíomhá, Taighde, agus Caochadán de ghrád Íomhá Réadmhaoin

Cur síos gairid:

Déantar foshraith chomhdhúile sileacain leath-inslithe trí ghearradh, meilt, snasta, glanadh agus teicneolaíocht próiseála eile tar éis fás criostail chomhdhúile sileacain leath-inslithe.Fástar ciseal criostail ciseal nó multilayer ar an tsubstráit a chomhlíonann na ceanglais cháilíochta mar epitaxy, agus ansin déantar an gléas RF micreathonn trí dhearadh agus pacáistiú an chuaird a chomhcheangal.Ar fáil mar fhoshraitheanna criostail aonair chomhdhúile sileacain leath-inslithe 2inch 3inch 4inch 6inch 8 orlach tionsclaíoch, taighde agus tástála.

Seol ríomhphost chugainn

Sonraí Táirge

Clibeanna Táirge

Sonraíocht Táirge

Grád			Grád Táirgthe Zero MPD (Grád Z)			Grád Táirgthe Caighdeánach (Grád P)		Grád Caochadán (Grád D)
Trastomhas			99.5 mm ~ 100.0 mm
	4H- SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Treoshuíomh Wafer			Lasmuigh den ais : 4.0° i dtreo< 1120 > ±0.5° le haghaidh 4H-N, Ar ais : <0001>±0.5° le haghaidh 4H-SI
	4H- SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H- SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Treoshuíomh Maol Bunscoile		{10-10} ±5.0°
Fad Maol Bunscoile		32.5 mm ± 2.0 mm
Fad Comhréidh Tánaisteach		18.0 mm ± 2.0 mm
Treoshuíomh Cothrom Tánaisteach		Aghaidh sileacain suas: 90 ° CW.ó Phríomh-árasán ±5.0°
Eisiamh Imeall		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Giorracht			C aghaidh				Polainnis		Ra≤1 nm
			Si aghaidh	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
Scoilteanna Imeall Trí Solas Ard-Déine		Dada						Fad carnach ≤ 10 mm, singil fad≤2 mm
Plátaí Heics Le Solas Ard-Déine		Achar carnach ≤0.05%						Achar carnach ≤0.1%
Limistéir Polytype De réir Solas Ard-Déine		Dada						Achar carnach ≤3%
Cuimsithe Carbóin Amhairc		Achar carnach ≤0.05%						Achar carnach ≤3%
Scratches Dromchla Sileacain De réir Solas Ard-Déine		Dada						Fad carnach≤1＊trastomhas sliseog
Sceallóga Edge Ard De réir Déine		Níl aon cheann ceadaithe ≥0.2 mm leithead agus doimhneacht						5 ceadaithe, ≤1 mm an ceann
Éilliú Dromchla Sileacain Trí Ard-Déine		Dada
Pacáistiú		Caiséad Il-wafer Nó Coimeádán Wafer Aonair