4H leath-HPSI 2 orlach tsubstráit SiC wafer Táirgeadh Caochadán Grád Taighde

Tá tsubstráit chomhdhúile sileacain roinnte go príomha i gcineál seoltaí agus leath-inslithe, úsáidtear tsubstráit chomhdhúile sileacain seoltaí go foshraith n-cineál go príomha le haghaidh stiúir epitaxial GaN-bhunaithe agus feistí optoelectronic eile, gléasanna leictreonacha cumhachta SiC-bhunaithe, etc., agus leath-. úsáidtear tsubstráit chomhdhúile sileacain SiC inslithe go príomha le haghaidh déantús epitaxial feistí minicíochta raidió ard-chumhachta GaN.Ina theannta sin tá leath-insliú leath-inslithe ard-íonachta HPSI agus SI leath-insliú difriúil, tiúchan iompróir leath-inslithe ard-íonachta de raon 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, le soghluaisteacht ard leictreon;Is leath-insliú ábhair ard-friotaíocht, tá friotachas an-ard, a úsáidtear go ginearálta le haghaidh foshraitheanna gléas micreathonn, neamh-seoltach.

Leathán leath-inslithe Silicon Carbide substráit SiC wafer

Cinneann struchtúr criostail SiC a chuid fisiceach, i gcoibhneas le Si agus GaAs, tá SiC do na hairíonna fisiceacha;tá leithead banna cosc ​​mór, gar do 3 huaire níos mó ná Si, chun a chinntiú go n-oibríonn an gléas ag teochtaí arda faoi iontaofacht fadtéarmach;Tá neart réimse miondealú ard, tá 1O huaire níos mó ná Si, chun a chinntiú go bhfuil an cumas voltas gléas, feabhas a chur ar an luach voltas gléas;tá ráta saturation leictreon mór, tá 2 uair níos mó ná Si, chun cur le minicíocht an gléas agus dlús cumhachta;tá seoltacht teirmeach ard, níos mó ná Si, tá an seoltacht teirmeach ard, tá an seoltacht teirmeach ard, tá an seoltacht teirmeach ard, tá an seoltacht teirmeach ard, níos mó ná an Si, tá an seoltacht theirmeach ard, tá an seoltacht teirmeach ard.Seoltacht ard teirmeach, níos mó ná 3 huaire níos mó ná Si, ag méadú cumas diomailt teasa na feiste agus ag baint amach miniaturization na feiste.