Faoi láthair, is féidir lenár gcuideachta leanúint ar aghaidh ag soláthar bhaisc bheag de wafers SiC cineál 8inchN, má tá riachtanais shamplacha agat, bíodh leisce ort teagmháil a dhéanamh liom. Tá roinnt sliseog samplacha againn réidh le seoladh.
I réimse na n-ábhar leathsheoltóra, tá dul chun cinn mór déanta ag an gcuideachta i dtaighde agus i bhforbairt criostail SiC mórmhéide. Trí úsáid a bhaint as a criostail síl féin tar éis babhtaí iomadúla de mhéadú trastomhas, d'éirigh leis an gcuideachta criostail SiC 8-orlach N-cineál a fhás, a réitíonn fadhbanna deacra mar réimse teochta míchothrom, scoilteadh criostail agus dáileadh amhábhar céim gáis sa phróiseas fáis de Criostail SIC 8-orlach, agus luasghéaraíonn sé fás criostail SIC mór-mhéid agus an teicneolaíocht próiseála uathrialaitheach agus inrialaithe. Feabhas a chur go mór ar chroí-iomaíochas na cuideachta i dtionscal tsubstráit criostail aonair SiC. Ag an am céanna, cuireann an chuideachta chun cinn go gníomhach carnadh teicneolaíochta agus próiseas líne turgnamhach ullmhúcháin tsubstráit chomhdhúile sileacain méid mór, neartaíonn sé malartú teicniúil agus comhoibriú tionsclaíoch i réimsí in aghaidh an tsrutha agus iartheachtacha, agus comhoibríonn sé le custaiméirí chun feidhmíocht táirgí a aithris i gcónaí, agus i gcomhpháirt. cuireann sé chun cinn luas iarratais tionsclaíoch na n-ábhar chomhdhúile sileacain.
| Sonraíochtaí SiC DSP de chineál N 8inch | |||||
| Uimhir | Mír | Aonad | Táirgeadh | Taighde | Caochadán |
| 1. Paraiméadair | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | treoshuíomh dromchla | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Paraiméadar leictreach | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-cineál Nítrigine | n-cineál Nítrigine | n-cineál Nítrigine |
| 2.2 | friotachas | óm ·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Paraiméadar meicniúil | |||||
| 3.1 | trastomhas | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | tiús | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | treoshuíomh notch | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Doimhneacht notch | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | teilifís | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bow | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Dlúth | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Struchtúr | |||||
| 4.1 | dlús micreaphíopaí | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ábhar miotail | adaimh/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Cáilíocht dhearfach | |||||
| 5.1 | tosaigh | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | bailchríoch dromchla | -- | Si-aghaidh CMP | Si-aghaidh CMP | Si-aghaidh CMP |
| 5.3 | cáithnín | ea/wafer | ≤100(méid≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | scread | ea/wafer | ≤5, Fad Iomlán ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Imeall sceallóga/fleasc/scoilteanna/stains/éilliú | -- | Dada | Dada | NA |
| 5.6 | Réimsí polytype | -- | Dada | Achar ≤10% | Achar ≤30% |
| 5.7 | marcáil tosaigh | -- | Dada | Dada | Dada |
| 6. Cáilíocht ar ais | |||||
| 6.1 | bailchríoch ar ais | -- | C-aghaidh MP | C-aghaidh MP | C-aghaidh MP |
| 6.2 | scread | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Ar ais imeall lochtanna sceallóga/fleasc | -- | Dada | Dada | NA |
| 6.4 | Ar ais roughness | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Ar ais marcáil | -- | notch | notch | notch |
| 7. Imeall | |||||
| 7.1 | imeall | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Pacáiste | |||||
| 8.1 | pacáistiú | -- | Epi-réidh le bhfolús pacáistiú | Epi-réidh le bhfolús pacáistiú | Epi-réidh le bhfolús pacáistiú |
| 8.2 | pacáistiú | -- | Il-wafer pacáistiú caiséad | Il-wafer pacáistiú caiséad | Il-wafer pacáistiú caiséad |
Am poist: Apr-18-2023