Soláthar seasta fadtéarmach d'fhógra SiC 8 n-orlach

Faoi láthair, is féidir lenár gcuideachta leanúint ar aghaidh ag soláthar bhaisc bheag de wafers SiC cineál 8inchN, má tá riachtanais shamplacha agat, bíodh leisce ort teagmháil a dhéanamh liom.Tá roinnt sliseog samplacha againn réidh le seoladh.

Soláthar seasta fadtéarmach d'fhógra SiC 8 n-orlach
Soláthar seasta fadtéarmach fógra SiC 8 n-orlach1

I réimse na n-ábhar leathsheoltóra, tá dul chun cinn mór déanta ag an gcuideachta i dtaighde agus i bhforbairt criostail SiC mórmhéide.Trí úsáid a bhaint as a criostail síl féin tar éis babhtaí iomadúla de mhéadú trastomhas, d'éirigh leis an gcuideachta criostail SiC 8-orlach N-cineál a fhás, a réitíonn fadhbanna deacra mar réimse teochta míchothrom, scoilteadh criostail agus dáileadh amhábhar céim gáis sa phróiseas fáis de Criostail SIC 8-orlach, agus luasghéaraíonn sé fás criostail SIC mór-mhéid agus an teicneolaíocht próiseála uathrialaitheach agus inrialaithe.Feabhas a chur go mór ar chroí-iomaíochas na cuideachta i dtionscal tsubstráit criostail aonair SiC.Ag an am céanna, cuireann an chuideachta chun cinn go gníomhach carnadh teicneolaíochta agus próiseas líne turgnamhach ullmhúcháin tsubstráit chomhdhúile sileacain méid mór, neartaíonn sé malartú teicniúil agus comhoibriú tionsclaíoch i réimsí in aghaidh an tsrutha agus iartheachtacha, agus comhoibríonn sé le custaiméirí chun feidhmíocht táirgí a aithris i gcónaí, agus i gcomhpháirt. cuireann sé chun cinn luas iarratais tionsclaíoch na n-ábhar chomhdhúile sileacain.

Sonraíochtaí SiC DSP de chineál N 8inch

Uimhir Mír Aonad Táirgeadh Taighde Caochadán
1. Paraiméadair
1.1 polytype -- 4H 4H 4H
1.2 treoshuíomh dromchla ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2. Paraiméadar leictreach
2.1 dopant -- n-cineál Nítrigine n-cineál Nítrigine n-cineál Nítrigine
2.2 friotachas óm ·cm 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3. Paraiméadar meicniúil
3.1 trastomhas mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
3.2 tiús μm 500±25 500±25 500±25
3.3 treoshuíomh notch ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Doimhneacht notch mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 LTV μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 teilifís μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Bow μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Dlúth μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4. Struchtúr
4.1 dlús micreaphíopaí ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 ábhar miotail adaimh/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Cáilíocht dhearfach
5.1 tosaigh -- Si Si Si
5.2 bailchríoch dromchla -- Si-aghaidh CMP Si-aghaidh CMP Si-aghaidh CMP
5.3 cáithnín ea/wafer ≤100(méid≥0.3μm) NA NA
5.4 scread ea/wafer ≤5, Fad Iomlán ≤200mm NA NA
5.5 Imeall
sceallóga/fleasc/scoilteanna/stains/éilliú
-- Dada Dada NA
5.6 Réimsí polytype -- Dada Achar ≤10% Achar ≤30%
5.7 marcáil tosaigh -- Dada Dada Dada
6. Cáilíocht ar ais
6.1 bailchríoch ar ais -- C-aghaidh MP C-aghaidh MP C-aghaidh MP
6.2 scread mm NA NA NA
6.3 Ar ais imeall lochtanna
sceallóga/fleasc
-- Dada Dada NA
6.4 Ar ais roughness nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Ar ais marcáil -- notch notch notch
7. Imeall
7.1 imeall -- Chamfer Chamfer Chamfer
8. Pacáiste
8.1 pacáistiú -- Epi-réidh le bhfolús
pacáistiú
Epi-réidh le bhfolús
pacáistiú
Epi-réidh le bhfolús
pacáistiú
8.2 pacáistiú -- Il-wafer
pacáistiú caiséad
Il-wafer
pacáistiú caiséad
Il-wafer
pacáistiú caiséad

Am poist: Apr-18-2023