Ar an 26ú, d'fhógair Power Cube Semi forbairt rathúil ar an gcéad leathsheoltóir MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) sa Chóiré Theas.
I gcomparáid leis na leathsheoltóirí atá bunaithe ar Si (Sileacain) atá ann cheana féin, is féidir le SiC (Sileacain Carbide) voltais níos airde a sheasamh, agus mar sin glactar leis mar fheiste den chéad ghlúin eile a stiúrfaidh todhchaí na leathsheoltóirí cumhachta.Feidhmíonn sé mar chomhpháirt ríthábhachtach atá riachtanach chun teicneolaíochtaí ceannródaíocha a thabhairt isteach, amhail iomadú feithiclí leictreacha agus leathnú lárionad sonraí arna dtiomáint ag hintleachta saorga.
Is cuideachta fabless é Power Cube Semi a fhorbraíonn feistí leathsheoltóra cumhachta i dtrí phríomhchatagóir: SiC (Silicon Carbide), Si (Silecon), agus Ga2O3 (Gallium Oxide).Le déanaí, chuir an chuideachta i bhfeidhm agus dhíol an chuideachta Schottky Barrier Diodes (SBDanna) ard-acmhainne le cuideachta feithiclí leictreacha domhanda sa tSín, ag fáil aitheantais dá dearadh agus teicneolaíocht leathsheoltóra.
Is díol suntais é scaoileadh an 2300V SiC MOSFET mar an chéad chás forbartha dá leithéid sa Chóiré Theas.D'fhógair Infineon, cuideachta leathsheoltóra cumhachta domhanda atá bunaithe sa Ghearmáin, seoladh a táirge 2000V i mí an Mhárta freisin, ach gan líne táirge 2300V.
Comhlíonann MOSFET CoolSiC 2000V Infineon, ag baint úsáide as an bpacáiste TO-247PLUS-4-HCC, an t-éileamh ar dhlús cumhachta méadaithe i measc dearthóirí, ag cinntiú iontaofacht an chórais fiú faoi choinníollacha déine ardvoltais agus minicíochta aistrithe.
Cuireann an CoolSiC MOSFET voltas nasc srutha dhírigh níos airde ar fáil, rud a chumasaíonn méadú cumhachta gan an sruth a mhéadú.Is é an chéad fheiste chomhdhúile sileacain scoite ar an margadh le voltas miondealú de 2000V, ag baint úsáide as an pacáiste TO-247PLUS-4-HCC le fad creepage de 14mm agus imréiteach de 5.4mm.Tá caillteanais lasctha íseal ag na feistí seo agus tá siad oiriúnach d'fheidhmchláir mar inverters teaghrán gréine, córais stórála fuinnimh, agus luchtú feithiclí leictreacha.
Tá an tsraith táirgí CoolSiC MOSFET 2000V oiriúnach do chórais bus DC ardvoltais suas le 1500V DC.I gcomparáid leis an 1700V SiC MOSFET, soláthraíonn an gléas seo corrlach overvoltage leordhóthanach do chórais 1500V DC.Cuireann an CoolSiC MOSFET voltas tairsí 4.5V ar fáil agus tá dé-óidí coirp láidre feistithe air le haghaidh cómhalartaithe crua.Le teicneolaíocht nasc .XT, tairgeann na comhpháirteanna seo feidhmíocht theirmeach den scoth agus friotaíocht láidir taise.
Chomh maith leis an 2000V CoolSiC MOSFET, seolfaidh Infineon dé-óid CoolSiC comhlántacha go luath atá pacáistithe i bpacáistí TO-247PLUS 4-pin agus TO-247-2 sa tríú ráithe de 2024 agus sa ráithe dheireanach de 2024, faoi seach.Tá na dé-óid seo oiriúnach go háirithe d'iarratais gréine.Tá comhcheangail táirgí tiománaí geata meaitseála ar fáil freisin.
Tá an tsraith táirgí CoolSiC MOSFET 2000V ar fáil ar an margadh anois.Ina theannta sin, cuireann Infineon boird mheastóireachta oiriúnacha ar fáil: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Is féidir le forbróirí an bord seo a úsáid mar ardán tástála ginearálta beacht chun meastóireacht a dhéanamh ar gach MOSFET agus dé-óid CoolSiC atá rátáilte ag 2000V, chomh maith le sraith táirge 1ED31xx tiománaí geata aonrúcháin aon-chainéil dlúth EiceDRIVER trí oibriú PWM dé-pulse nó leanúnach.
Dúirt Gung Shin-soo, Príomhoifigeach Teicneolaíochta Power Cube Semi, “Bhí muid in ann an taithí atá againn cheana féin i bhforbairt agus olltáirgeadh 1700V SiC MOSFETanna a leathnú go 2300V.
Am poist: Apr-08-2024